MEMORIA RAM KINGSTON 8GB DDR4

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Especificaciones: Voltaje de operación estándar de 1,2 V para VDD y VDDQ. – VPP típico de 2,5 V. – Amplio rango de voltaje para VDDSPD, desde 2,2 V hasta 3,6 V. – Incluye terminación integrada (ODT) para diversas señales como datos, estroboscópicas y de máscara. – Función de autoactualización de bajo consumo (LPASR) incorporada. – Utiliza inversión de bus de datos (DBI) para optimizar el flujo de datos. – Integración de generación y calibración de VREFDQ. – Diseño de un solo rango. – Cuenta con una EEPROM de detección de presencia (SPD) serie I2. – Organizado en 16 bancos internos, divididos en 4 grupos de 4 bancos cada uno. – Configuración de corte de ráfaga fija (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registros de modo (MRS). – Capacidad para seleccionar BC4 o BL8 sobre la marcha (OTF). – Implementa una topología de vuelo para optimizar la eficiencia. – Soporta comandos de control de terminación y bus de dirección. – Dimensiones del PCB: Altura de 1,23” (31,25 mm). – Cumple con las normativas RoHS y es libre de halógenos.